什么是IGBT？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET则驱动功率小、开关速度快，但导通压降大、载流密度小。而IGBT则兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的两方面优点。
IGBT由VOMOS及BJT组成。VOMOS是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高但输入电容大，IGBT是VOMOS在前BJT在后，在高压大电流应用时，后级的BJT压降小、导通电阻的效率高，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。简单点说就是大功率的开关器件。
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